Allá por 2006 se empezaba a oir algo sobre una tecnología revolucionaria llamada Memoria de Cambio de Fase que estaba, supuestamente, destinada a terminar el largo reinado de 40 años de los chips actuales basados en el silicio.
Hace unos días la compañía Micron ha puesto a la venta los primeros chips de memoria para dispositivos portátiles basados en esta tecnología. Es hora de explicar en qué consiste esta memoria basada en un tipo especial de cristal capaz de ‘cambiar de forma’.
Existen distintos nombres para definir a la memoria de cambio de fase: PRAM o PCRAM (Phase Change RAM), OUM (Ovonic Unified Memory) o CRAM (Calcogenic RAM), pero las siglas más habituales son PCM (Phase Change Memory).
La PCM es un tipo de memoria no volátil. En otras palabras, mantiene la información aunque no le llegue energía, lo que la permite funcionar como dispositivo de almacenamiento similar a los SSD. Con todo, sus primeras aplicaciones están llegando en el campo de la memoria Flash.
Cristales que cambian
La memoria de cambio de fase no se basa en silicio, sino en el uso de un tipo especial de cristal denominado cristal calcógeno que tiene la propiedad de cambiar su estructura de vídrio a un conglomerado amorfo al aplicársele calor.
El cristal para las memorias suele fabricarse con un compuesto de germanio, antimonio y telurio similar en estructura al que podemos encontrar en los discos ópticos. De hecho, los CD o DVD se basan en la misma propiedad ya que el cristal también cambia sus propiedades ópticas al pasar de un estado a otro.

Decimos también porque al cambiar entre un estado y otro, el cristal calcógeno cambia su resistencia electrica. Esta propiedad es precisamente la que se usa para determinar los estados binarios de cero y uno básicos para generar la memoria.
Ventajas sobre el silicio
El uso de este tipo de cristal permite, en teoría, realizar el cambio de estado mucho más rápidamente que las puertas de silicio y, por tanto, superar en miles de veces la velocidad de lectura y sobre todo de escritura de las memorias actuales.
Los primeros modelos presentados por Micron son chips de 45 nanómetros y 512MB con una velocidad de escritura de 400MBps. No es nada revolucionario respecto a la memoria Flash convencional, pero hay que tener en cuenta que el techo de este tipo de memoria es mucho más alto y estamos sólo en su primera generación.
La memoria de cambio de fase también tiene la ventaja de que tarda más tiempo en degradarse. En teoría puede alcanzar los 100 millones de ciclos de escritura. En el lado negativo, su sensibilidad al calor hace que sea más complicada de producir y, por ejemplo, de soldar al resto de componentes. Tampoco se hace referencia a si genera más calor que la memoria convencional o cuál es su consumo de energía.
Aún es pronto para que el cristal le gane el pulso al silicio, pero todo indica que la memoria de cambio de fase abre la puerta a una nueva era tecnológica repleta de interesantes posibilidades.
Ver 28 comentarios
28 comentarios
royendershade
Siempre es estupendo que saquen cosas de este tipo, pero me da que en cuanto se empiece a manejar bien el grafeno hasta esto va a quedar desfasado.
cebado
Si llega a ser tan rápida como dicen podría significar la unificación del Disco duro y la memoria RAM.
shinjikari
Lo realmente interesante es que nos aleja un poco más de la "dependencia" del silicio.
Cuanto más heterogéneo sea el hardware, mejor.
oal1980
no sé pero por cuestiones ecológicas, preferiría el silicio, es el mineral que más abunda, ya que se encuentra en la arena.
Dubitador
No veo nada claro que la memoria de cambio de fase sea mas ágil ni duradera que una RAM ordinaria.
El calor es un procedimiento muy lento para escribir/borrar ceros y unos; ademas necesariamente tiene que implicar mas energía y disipación de calor, puesto que al calor generado por la conducción en sí (la resistencia de todo conductor) hay que añadir el requerido para inducir el cambio de fase. Luego está el ruido que puede introducir la invasión de calor indeseado.
Encuentro que las memorias de cambio de fase tienen mas sentido para el almacenamiento seguro de alta densidad y larga duración, a condición de que el cambio de fase requiera una temperatura bastante alta, próxima al punto de fusión.
wsoulrc
La verdad es que el avance en este tipo de tecnología es abrumante, existen muchos tipos de componentes para realizar las piezas.
si no recuerdo mal estaban haciendo también un tipo de procesador muy pequeñito y mucho mas rápido que los actuales.
esta opción es mas viable cara a que puede ir integrada a todo el público, dado que si el precio es semejante y funciona mejor no tendrán problema en ser usado.
fran94
Una duda. Si no entiendo mal, los programas abiertos quedan residentes en la RAM y al ser volátil, al apagar el pc se borra todo, se cierran. Entonces, si la PCM no es volátil, al apagar el pc, ¿Seguirían esos programas abiertos?
darkyevon
400MBps no es mucho para una memoria flash? entonces si que es revolucionario? o hay de mas velocidad
catch
Creo que no se ha hablado de lo mas importante en el articulo:
los cambios de estado espurios
el principal problema de esta memoria, es que como cambian con aplicación de calor y no con corriente eléctrica, un fuerte calor medio ambiental podía hacer que la información cambiara involuntariamente, por no mencionar que dentro de la caja PC o la carcasa de una laptop hace muuucho calor.
http://es.wikipedia.org/wiki/PRAM#Compromiso_fundamental:_cambios_de_fase_espurios
¿que paso con eso?¿ya lo solucionaron?
a.x.o
Do the evolution, baby
ornitorrinco.entreki
¿Veremos algún dia las memorias en cristales de Superman? xDDD
Angel11
Este tipo de tecnologías son los que hacen un pequeño cambio en la elaboración de los ordenadores. No dudo que el disco duro y la memoria RAM, sean un solo hardware.
josedegafas
ES impresionante esta tecnología, se abre una nueva era me atrevería a decir, todo lo que sea mas rapidez, menor consumo e inferior temperatura será bienvenido. ESo si, veremos en el rango de precios que se mueven...
Alucin Ito
Ya se comentó hace bastante de que apple estaba tras estos movimientos tecnologicos, y de que no tardaría en aplicar este tipos de almacenamiento a sus novedosos aparatos. Esperemos que sea asin lo mas a tardar unos meses.